DR650SE ヘッドライトリレー(自作FETリレーの置き換え) (2022年6月12日〜7月11日〜9月18日) DR650のヘッドライトがLow/Highとも 点かなくなりました。 バッテリーのそばのFUSEは? → 切れていません。 次はヘッドライトのそばのFETリレー基板。 バッテリー直結の12Vライン → 基板内に来ています。 Low/Highの切り替え信号 → 基板内に来ています。 H4バルブ → 12Vを直接加えると、Low/Highともに点灯します。 以上で、FETリレー基板に問題があることがわかります。 この基板は2014年9月に設置したものです。→ここ 8年前ですね。 |
|
壊れたFETリレー基板。 自分でエッチングして作りました。 汚くなっていますね。 銅箔の光沢が無くなっています。 部品面にはアクリル板で覆っていますが、ヘッドライトユニットの後ろに 置いてあるだけなので、酸化しています。 一応、「追いハンダ」してみましたが、状況は変わらず。 |
|
基板を修理するのはやめて、置き換えることにします。 2020年の7月に業者にプリント基板を作ってもらっています。 まだ実装していませんが。 最新回路は、タコメータユニットから「エンジンがかかっているか」の 信号をもらえるようになっています。 タコメータユニットからエンジンの回転が1200rpm以上で ヘッドライト信号がONになります。 旧回路では、バッテリーの12Vラインのイグニッションノイズを 検出してエンジンがかかっているかどうか判断していましたが これがもうひとつです。セルモータが回った時に強烈にノイズが のるから、これで「エンジンがかかった」と誤判断してしまいます。 なんでこういうことをするかというと、エンジンがかかるまで ヘッドライトは消灯しておきたいからです。 冬の朝の始動が苦しいのです。 また修理まで遠い話になりました。 |
|
部品を実装していない、と思ってましたが 2年前の8月に実装して、ソフトも作成、動作チェックまでしてました。 すっかり忘れていました。 まだ動作していたので、新しい基板に交換しなかったのですね。 |
|
バイクにセットしたところ、正常に動作しました (2022年6月18日)。 ・点火プラグを外してセルモータを回したところ、エンジンがかからないので ヘッドライトは点灯しません。 ・エンジンがかかるとヘッドライトが点灯しました。 ・エンジンをかけないで、ライトのH/Lを切り替えたところ、ヘッドライトが点灯しました。 意図したとおり、ちゃんと動作しました。 |
|
FETリレー基板とコネクタ基板ははんだ付け面がむき出しですので 絶縁します。基板を2枚のアクリル板でサンドイッチします。 と、ここまでやって、基板とアクリル板の間に入れる樹脂スペーサが ないことに気が付きました。M2のネジなのでホームセンターには 置いてないのです。 スペーサの専門メーカーの廣杉計器に発注します。 また来週ですね。なかなか完成しません。 ヘッドライトが点かないとバイクに乗れません、、、 |
|
FETリレー基板からの配線を少し長くしました(2022年6月25日)。 H4バルブのコネクタを新調しました。 バッテリーからの直接配線のコネクタをギボシ端子から2Pのコネクタにしました。 |
|
こんな感じ。 ところが、、、FETリレーのFETが壊れます(D-S間がショートする)。 1回壊れて、FETを取り替えても、またすぐに壊れます。 なんで? 仮付けでは動いていたのに(2022年6月26日)。 |
|
実機でやっていてはダメだ、ということで、家の中で実験できるように ユニバーサル基板でスイッチ入力できるようにしました。 また、バッテリーからの直結線ですが、実機ではたぶん1.5m弱ですが、 2mのものを新たに作りました。 これと、実機の鉛バッテリーを外して家の中で実験しました。 |
|
FETが壊れる原因として考えられるのは、バッテリー直結配線のインダクタンス。 OFF時にサージが発生してFETが壊れる? と思ったのですが、全然、そんなことは ありませんでした。 1.5mの平行線でそんなにインダクティブになるか、と言うと、 ならないでしょうね。 モーターとかリレーのコイルではないのですから。 過去に作ったFETリレーは3個とも、FETのD-S間には何も入れていませんが、 順調に動いています(動いていました)。 また現回路はFETのG端子には、PWMのC・Rが入っています。 ON時にはゆっくりとゲート電圧を上げていますし、OFF時も若干の時定数があり、 急峻にはOFFしていません(急峻にはOFFできません)。 上の観測結果のように5〜6msぐらいかけて、5V→0Vになっています。 そしてドレイン電圧も0→12Vと穏やかに変化しています。 サージ電圧は発生していません。 |
|
ということで、あと考えられるのはエンジンです。 エンジンをかけるとバッテリーの12Vラインには細かいヒゲ状の スパイクノイズが乗ります。これが悪さをする? セルモータのブラシからかもしれません。 何しろものすごく暑く、スパイクノイズを測定するために オシロを持ち出すのはやめておきました。いつでもできますし。 また涼しくなったら観測してみます。 念のため、FETのD-S間にツェナーダイオードを入れました。 16V3Wのものです。 FETの上に重ねてエポキシ樹脂で固定してはんだ付けしました。 ちなみに、 マイコンのための5Vは、三端子レギュレータで作っていますが、 この入力には厳重にスパイクノイズ対策がしてあります。 47μHのチョークコイル → 上記で使った16V3Wのツェナーダイオード → セラミックコンデンサ という具合になっています。 |
|
こんな感じで絶縁しています。 これでやってみたところ、順調に動くようになりました。(オドメータ:45,145km) しばらく様子見をします(2022年7月11日)。 新基板に入れ替えるまでに、ほぼ1ヶ月かかってしまいました。 再発しました(2022年9月5日)。 Lowビームが点きっぱなし。 |
|
あら〜、Power MOS FETのハンダが取れて、斜めになっています。 ハンダ付け不良ではなく、熱でハンダが溶けたみたいです。 FETを外してD-S間をテスターで抵抗値を測ったところ、両方向で 完全にショート状態でした。 後付けしたツェナーダイオードは生きてるみたいでした。 |
|
Highビーム側は問題ありません(Lowビーム側のFETは外したままで実験しています)。 何度もON/OFFしましたが普通です。 3分間点けっぱなしにしてみましたが、 FETはほのかに温かいだけです。 6月にも「点灯しっぱなし」なり、FETを交換しても すぐに再発。 ツェナーダイオードを入れたところ2ヶ月ぐらいは正常でしたが 再発しました。 Lowビーム側に壊れたのと同じ銘柄のFETを付けてみたところ すぐに(数秒で)再発。FETを触ってみたところチュンチュンに熱く なっていました。 実験は室内でやっていて、エンジンからのノイズとは関係ありません。 電源は実機の鉛バッテリーでやっています。 FETのG端子はON時4.8V、OFF時0Vで問題ありません(High側、Low側共に)。 どうもFETにバラつきがあり、耐圧(? 耐電力?)に 問題があるものが含まれているのではないかと思います。 ツェナーダイオードの有無は関係ないようです。 このFETは、秋月電子で5個¥100で売っているものです。 NP52N06SLG (ルネサス) VDSS=60V ID=52A ID pulse=104A (10μs Duty1%) RDS max 25mΩ (@VGS=4.5V) チャネル・外気温熱抵抗=125℃/W 負荷であるH4バルブの特性は以前取ってあって 定常は5A、ON時の突入電流は50Aぐらいです。 またこの基板は突入電流を逓減するために、FETのGate電圧を 緩やかに変化する仕組みがあります。ON時の突入電流は16Aぐらいになっています。 以上より電流についてはFETの規格内なので問題ありません。 次に熱損失について考えてみます。 25mΩに5A流れれば125mVの電圧降下があり、FETの損失は0.625Wです。 チャネル・外気温熱抵抗は125℃/Wですので78℃上昇することになり 外気温の高い夏は苦しいかもしれません。ただ外気温が50℃としても 128℃なので壊れるほどではありません。 ON抵抗はmax値の計算であること、FETのドレインには 幅広のプリント基板の銅箔にはんだ付けしてあることで 大丈夫かと考えました。 |
|
今度はFETを一回り大きいTO-220型のものに交換することにしました。 FKI06051 (サンケン) VDSS=60V ID=69A ID pulse=137A (100μs Duty1%) RDS max 5.8mΩ (@VGS=4.5V) チャネル・外気温熱抵抗=62.5℃/W |
|
SMD用のパターンですので、スルーホール型の部品で、しかも外形が大きくて ハンダ付けは非常に困難でした。 念のためにツェナーダイオードも入れておきました。 これで、Low側、High側それぞれ3分間点けてみました。 正常でした。 暖かくもなりません。どっちが点けている方のFETだ? と思うほど、温度上昇はありません。 DR-Z400にも同じようなものを8年前に付けていますが、壊れていません。 よく壊れるのはこの基板にしてからです。 原因はFETの使い方に余裕がないせいだろうと思います。 当面はこのまま使いますが、機械的に不安定なので、 プリント基板を作り直すことにします。 このサンケンのFETだとON抵抗が低く、また外形が大きいので熱抵抗も低く、 電圧降下は最大でも29mV 電力損失は0.145W 熱上昇は9.1℃ となり、充分クールです。 |
|